1. 개요
삼성전자의 메모리 반도체 기술에 대해 다루는 문서이다.2. DRAM
2.1. 제조 공정
2.1.1. D2z (20나노)
2.1.2. D1x (18나노)
2016년 양산을 시작했다. 최초로 쿼드패터닝이 적용된 세대이다.2.1.3. D1y (17나노)
2017년 양산을 시작했다. Sense Amp에 보상 시스템을 적용하여 정확도를 높였고 에어 갭(Air Gap) 공정을 도입하여 기생 커패시턴스를 감소시켰다.2.1.4. D1z (15나노)
2019년 양산을 시작했다. Techinsights의 분석에 따르면 15.7나노급 공정이라고 한다.2.1.4.1. D1z (EUV)
기존 D1z 공정과 design rule은 동일하나 기존 ArFi 사용 시 복잡한 패터닝이 필요한 bit line pad(BLP)에만 EUV가 적용된 공정이다. (1개 레이어) 갤럭시 S21 스마트폰에 탑재된 12Gb LPDDR5 칩에 사용되었다.2.1.5. D1a (14나노)
2021년 양산을 시작했다. EUV를 1개 레이어에만 적용하거나 사용하지 않은 경쟁사와 달리 공격적으로 5개 레이어에 EUV를 적용하였다.2.1.6. D1b (12나노)
2023년 양산을 시작했다.2.2. 제품
K 4 X ...
- K : 삼성 메모리
- 4 : DRAM
2.2.1. DDR3 SDRAM
K 4 B X X X X X X X - X X X X
제품 종류
- B : DDR3
2.2.2. DDR4 SDRAM
K
4
A
X X
X X
X
X
X
- X
X
X
X
- 파트명 해석
- 3. 제품 종류
- A : DDR4
4G
: 4Gb8G
: 8GbAG
: 16GbBG
: 32Gb
B
: B다이C
: C다이
P
: CL15R
: CL17T
: CL19V
: CL21W
: CL22Y
: CL24A
: CL26
B
: 2133 MT/sC
: 2400 MT/sD
: 2666 MT/sE
: 2933 MT/sF
: 3200 MT/s
- 검은색: UDIMM/RDIMM/LRDIMM 지원 구성
- 파란색: RDIMM/LRDIMM 지원 구성
모듈 용량 \\ 랭크 | 단면(1R) | 양면(2R) | 4R | 8R |
2 GB | 4Gb x16 | |||
4 GB | 4Gb x8 8Gb x16 | 4Gb x16 | ||
8 GB | 8Gb x8 16Gb x16 4Gb x4 | 4Gb x8 8Gb x16 | ||
16 GB | 16Gb x8 8Gb x4 | 8Gb x8 16Gb x16 4Gb x4 | ||
32 GB | 16Gb x4 | 16Gb x8 8Gb x4 | ||
64 GB | 16Gb x4 | 16Gb(DDP) x4 16Gb(2-Hi 3DS) x4 | 16Gb(4-Hi 3DS) x4 | |
128 GB | 32Gb(DDP) x4 32Gb(2-Hi 3DS) x4 | 32Gb(4-Hi 3DS) x4 | ||
256 GB | 64Gb(4-Hi 3DS) x4 |
용량 \\ 공정 | 25 nm | 20 nm | 1x nm | 1y nm | 1z nm |
4 Gb | D-die | E-die | F-die | G-die | |
8 Gb | B-die | C-die | G-die | ||
16 Gb | A-die | B-die? | C-die | ||
16 Gb (DDP) | B-die | ||||
32 Gb (DDP) | A-die | B-die? |
- 4 Gb 칩
부품 번호 | 용량 | 비트 | 속도 | 동작 온도 | 패키지 | 상태 |
4Gb D-die(25 nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A4G085WD-BCPB | 4 Gb | 8 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A4G085WD-BIPB | 4 Gb | 8 | 2133 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WD-BCRC | 4 Gb | 8 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A4G085WD-BIRC | 4 Gb | 8 | 2400 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A4G165WD-BCPB | 4 Gb | 16 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 단종 |
K4A4G165WD-BIPB | 4 Gb | 16 | 2133 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 단종 |
K4A4G165WD-BCRC | 4 Gb | 16 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 단종 |
K4A4G165WD-BIRC | 4 Gb | 16 | 2400 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 단종 |
4Gb E-die(20 nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A4G045WE-BCRC | 4 Gb | 4 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G045WE-BCTD | 4 Gb | 4 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WE-BCPB | 4 Gb | 8 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WE-BCRC | 4 Gb | 8 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WE-BIRC | 4 Gb | 8 | 2400 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WE-BCTD | 4 Gb | 8 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WE-BITD | 4 Gb | 8 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BCPB | 4 Gb | 16 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BCRC | 4 Gb | 16 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BIRC | 4 Gb | 16 | 2400 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BCTD | 4 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BITD | 4 Gb | 16 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BCWE | 4 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WE-BIWE | 4 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
4Gb F-die(1x nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A4G085WF-BCTD | 4 Gb | 8 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WF-BITD | 4 Gb | 8 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WF-BCWE | 4 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WF-BIWE | 4 Gb | 8 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G165WF-BCTD | 4 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WF-BITD | 4 Gb | 16 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WF-BCWE | 4 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WF-BIWE | 4 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
4Gb G-die(1z nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A4G085WG-BCWE | 4 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A4G085WG-BIWE | 4 Gb | 8 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | Sample |
K4A4G165WG-BCWE | 4 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A4G165WG-BIWE | 4 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | Sample |
- 8 Gb 칩
부품 번호 | 용량 | 비트 | 속도 | 동작 온도 | 패키지 | 상태 |
8Gb B-die(20 nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A8G045WB-BCPB | 8 Gb | 4 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A8G045WB-BCRC | 8 Gb | 4 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G045WB-BCTD | 8 Gb | 4 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WB-BCPB | 8 Gb | 8 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WB-BCRC | 8 Gb | 8 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WB-BIRC | 8 Gb | 8 | 2400 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WB-BCTD | 8 Gb | 8 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WB-BITD | 8 Gb | 8 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BCPB | 8 Gb | 16 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BCRC | 8 Gb | 16 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BIRC | 8 Gb | 16 | 2400 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BCTD | 8 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BITD | 8 Gb | 16 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BCWE | 8 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WB-BIWE | 8 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
8Gb C-die(1x nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A8G045WC-BCPB | 8 Gb | 4 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A8G045WC-BCRC | 8 Gb | 4 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A8G045WC-BCTD | 8 Gb | 4 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WC-BCPB | 8 Gb | 8 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A8G085WC-BCRC | 8 Gb | 8 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 단종 |
K4A8G085WC-BCTD | 8 Gb | 8 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WC-BITD | 8 Gb | 8 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WC-BCWE | 8 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WC-BIWE | 8 Gb | 8 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G165WC-BCPB | 8 Gb | 16 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WC-BCRC | 8 Gb | 16 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WC-BCTD | 8 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WC-BITD | 8 Gb | 16 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WC-BCWE | 8 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | Sample |
K4A8G165WC-BIWE | 8 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
8Gb G-die(1z nm) 기반 제품군 | ||||||
K4A8G085WG-BCWE | 8 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4A8G085WG-BIWE | 8 Gb | 8 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | Sample |
K4A8G165WG-BCWE | 8 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4A8G165WG-BIWE | 8 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | Sample |
- 16 Gb 칩
부품 번호 | 용량 | 비트 | 속도 | 동작 온도 | 패키지 | 상태 |
16Gb B-die(20 nm, DDP) 기반 제품군 | ||||||
K4AAG085WB-MCPB | 16 Gb | 8 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG085WB-MCRC | 16 Gb | 8 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG165WB-MCPB | 16 Gb | 16 | 2133 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4AAG165WB-MCRC | 16 Gb | 16 | 2400 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4AAG165WB-MCTD | 16 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
16Gb A-die(1x nm) 기반 제품군 | ||||||
K4AAG085WA-BCTD | 16 Gb | 8 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG085WA-BITD | 16 Gb | 8 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG085WA-BCWE | 16 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG085WA-BIWE | 16 Gb | 8 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG165WA-BCTD | 16 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4AAG165WA-BITD | 16 Gb | 16 | 2666 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4AAG165WA-BCWE | 16 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4AAG165WA-BIWE | 16 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | 양산 |
16Gb B-die(?) 기반 제품군 | ||||||
K4AAG165WB-BCWE | 16 Gb | 4 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4AAG085WB-BCWE | 16 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
16Gb C-die(1z nm) 기반 제품군 | ||||||
K4AAG085WC-BCWE | 16 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | Sample |
K4AAG085WC-BIWE | 16 Gb | 8 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 78 FBGA | Sample |
K4AAG165WC-BCWE | 16 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4AAG165WC-BIWE | 16 Gb | 16 | 3200 Mbps | -40 ~ 95 °C | 96 FBGA | Sample |
- 32 Gb 칩
부품 번호 | 용량 | 비트 | 속도 | 동작 온도 | 패키지 | 상태 |
32Gb A-die(1x nm, DDP) 기반 제품군 | ||||||
K4ABG085WA-MCTD | 32 Gb | 8 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4ABG085WA-MCWE | 32 Gb | 8 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 78 FBGA | 양산 |
K4ABG165WA-MCTD | 32 Gb | 16 | 2666 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
K4ABG165WA-MCWE | 32 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
32Gb B-die(? nm, DDP) 기반 제품군 | ||||||
K4ABG165WB-MCWE | 32 Gb | 16 | 3200 Mbps | 0 ~ 85 °C | 96 FBGA | 양산 |
2.2.3. DDR5 SDRAM
K 4 R X X X X X X X - X X X X
- R : DDR5
스테핑 | 공정 | 용량 |
B-die | 1y nm | 16 Gb |
P-die | 1a nm | 16 Gb |
2.2.4. LPDDR4 SDRAM
2.2.5. LPDDR5 SDRAM
2.2.6. HBM
3. 플래시 메모리
3.1. 제조 공정
3.1.1. 평면 낸드
3.1.1.1. 19나노
3.1.1.2. 16나노
3.1.1.3. 14나노
평면 낸드의 마지막 세대이다. 이 이후로는 경제성, 안정성, 성능 등 여러 면에서 우수한 V낸드 도입에 따라 평면 낸드는 도태되었다.3.1.2. V1(24단)
2013년에 양산을 시작했다. 세계 최초로 적층 기술이 도입되었다.3.1.3. V2(32단)
2014년에 양산을 시작했다.3.1.4. V3(48단)
2015년에 양산을 시작했다.3.1.5. V4(64단)
2016년 말 양산을 시작했다. 9-Hole 구조를 도입하였고, CTF 박막의 특성을 개선하여 셀 크기를 줄이면서도 신뢰성을 끌어올렸다. 최초로 QLC가 도입되었다.3.1.6. V5(92단)
2018년에 양산을 시작했다. 회로 설계를 개선하여 동작 속도를 높였고 ALD 텅스텐 공정을 도입하였다.3.1.7. V6(128단)
2019년에 양산을 시작했다. 싱글 스택을 사용하는 마지막 공정이다.3.1.7.1. V6 Prime(133단)
I/O 속도를 1.2Gbps → 1.6Gbps로 높인 것이 특징이다.3.1.8. V7(176단)
2021년에 양산을 시작했다. 더블 스택이 도입된 최초의 공정이다. Cell-on-Peri 기술을 도입해 밀도를 크게 높인 것이 특징이다.3.1.9. V8(236단)
2022년에 양산을 시작했다.3.1.10. V9(286단)
2024년에 양산을 시작했다.더블 스택을 사용하는 마지막 공정이다.