삼성전자/메모리

상위 문서: 삼성전자/사업

1. 개요2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. D2z (20나노)2.1.2. D1x (18나노)2.1.3. D1y (17나노)2.1.4. D1z (15나노)

2.1.4.1. D1z (EUV)

2.1.5. D1a (14나노)2.1.6. D1b (12나노)

2.2. 제품

2.2.1. DDR3 SDRAM2.2.2. DDR4 SDRAM2.2.3. DDR5 SDRAM2.2.4. LPDDR4 SDRAM2.2.5. LPDDR5 SDRAM2.2.6. HBM

3. 플래시 메모리

3.1. 제조 공정

3.1.1. 평면 낸드

3.1.1.1. 19나노3.1.1.2. 16나노3.1.1.3. 14나노

3.1.2. V1(24단)3.1.3. V2(32단)3.1.4. V3(48단)3.1.5. V4(64단)3.1.6. V5(92단)3.1.7. V6(128단)

3.1.7.1. V6 Prime(133단)

3.1.8. V7(176단)3.1.9. V8(236단)3.1.10. V9(286단)3.1.11. V10

1. 개요

삼성전자의 메모리 반도체 기술에 대해 다루는 문서이다.

2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. D2z (20나노)

2.1.2. D1x (18나노)

2016년 양산을 시작했다. 최초로 쿼드패터닝이 적용된 세대이다.

2.1.3. D1y (17나노)

2017년 양산을 시작했다. Sense Amp에 보상 시스템을 적용하여 정확도를 높였고 에어 갭(Air Gap) 공정을 도입하여 기생 커패시턴스를 감소시켰다.

2.1.4. D1z (15나노)

2019년 양산을 시작했다. Techinsights의 분석에 따르면 15.7나노급 공정이라고 한다.

2.1.4.1. D1z (EUV)

기존 D1z 공정과 design rule은 동일하나 기존 ArFi 사용 시 복잡한 패터닝이 필요한 bit line pad(BLP)에만 EUV가 적용된 공정이다. (1개 레이어) 갤럭시 S21 스마트폰에 탑재된 12Gb LPDDR5 칩에 사용되었다.

2.1.5. D1a (14나노)

2021년 양산을 시작했다. EUV를 1개 레이어에만 적용하거나 사용하지 않은 경쟁사와 달리 공격적으로 5개 레이어에 EUV를 적용하였다.

2.1.6. D1b (12나노)

2023년 양산을 시작했다.

2.2. 제품

K 4 X ...

K : 삼성 메모리
4 : DRAM

2.2.1. DDR3 SDRAM

K 4 B X X X X X X X - X X X X
제품 종류

B : DDR3

2.2.2. DDR4 SDRAM

K 4 A X X X X X X X - X X X X

파트명 해석

3. 제품 종류

A : DDR4

4. 다이 용량

4G : 4Gb
8G : 8Gb
AG : 16Gb
BG : 32Gb

8. 스테핑

B : B다이
C : C다이

11. 타이밍(CL)

P : CL15
R : CL17
T : CL19
V : CL21
W : CL22
Y : CL24
A : CL26

12. 동작 속도(MT/s)

B : 2133 MT/s
C : 2400 MT/s
D : 2666 MT/s
E : 2933 MT/s
F : 3200 MT/s

검은색: UDIMM/RDIMM/LRDIMM 지원 구성
파란색: RDIMM/LRDIMM 지원 구성

모듈 용량 \\ 랭크	단면(1R)	양면(2R)	4R	8R
2 GB	4Gb x16
4 GB	4Gb x8 8Gb x16	4Gb x16
8 GB	8Gb x8 16Gb x16 4Gb x4	4Gb x8 8Gb x16
16 GB	16Gb x8 8Gb x4	8Gb x8 16Gb x16 4Gb x4
32 GB	16Gb x4	16Gb x8 8Gb x4
64 GB		16Gb x4	16Gb(DDP) x4 16Gb(2-Hi 3DS) x4	16Gb(4-Hi 3DS) x4
128 GB			32Gb(DDP) x4 32Gb(2-Hi 3DS) x4	32Gb(4-Hi 3DS) x4
256 GB				64Gb(4-Hi 3DS) x4

용량 \\ 공정	25 nm	20 nm	1x nm	1y nm	1z nm
4 Gb	D-die	E-die	F-die		G-die
8 Gb		B-die	C-die		G-die
16 Gb			A-die	B-die?	C-die
16 Gb (DDP)		B-die
32 Gb (DDP)			A-die	B-die?

4 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
4Gb D-die(25 nm) 기반 제품군
K4A4G085WD-BCPB	4 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A4G085WD-BIPB	4 Gb	8	2133 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WD-BCRC	4 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A4G085WD-BIRC	4 Gb	8	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	단종
K4A4G165WD-BCPB	4 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	단종
K4A4G165WD-BIPB	4 Gb	16	2133 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	단종
K4A4G165WD-BCRC	4 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	단종
K4A4G165WD-BIRC	4 Gb	16	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	단종
4Gb E-die(20 nm) 기반 제품군
K4A4G045WE-BCRC	4 Gb	4	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G045WE-BCTD	4 Gb	4	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BCPB	4 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BCRC	4 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BIRC	4 Gb	8	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BCTD	4 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WE-BITD	4 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCPB	4 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCRC	4 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BIRC	4 Gb	16	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCTD	4 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BITD	4 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BCWE	4 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WE-BIWE	4 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
4Gb F-die(1x nm) 기반 제품군
K4A4G085WF-BCTD	4 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WF-BITD	4 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WF-BCWE	4 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WF-BIWE	4 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A4G165WF-BCTD	4 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WF-BITD	4 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WF-BCWE	4 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WF-BIWE	4 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
4Gb G-die(1z nm) 기반 제품군
K4A4G085WG-BCWE	4 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A4G085WG-BIWE	4 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	Sample
K4A4G165WG-BCWE	4 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A4G165WG-BIWE	4 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	Sample

8 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
8Gb B-die(20 nm) 기반 제품군
K4A8G045WB-BCPB	8 Gb	4	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G045WB-BCRC	8 Gb	4	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G045WB-BCTD	8 Gb	4	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BCPB	8 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BCRC	8 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BIRC	8 Gb	8	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BCTD	8 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WB-BITD	8 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCPB	8 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCRC	8 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BIRC	8 Gb	16	2400 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCTD	8 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BITD	8 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BCWE	8 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WB-BIWE	8 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
8Gb C-die(1x nm) 기반 제품군
K4A8G045WC-BCPB	8 Gb	4	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G045WC-BCRC	8 Gb	4	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G045WC-BCTD	8 Gb	4	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BCPB	8 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G085WC-BCRC	8 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	단종
K4A8G085WC-BCTD	8 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BITD	8 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BCWE	8 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WC-BIWE	8 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCPB	8 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCRC	8 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCTD	8 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BITD	8 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WC-BCWE	8 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	Sample
K4A8G165WC-BIWE	8 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
8Gb G-die(1z nm) 기반 제품군
K4A8G085WG-BCWE	8 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4A8G085WG-BIWE	8 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	Sample
K4A8G165WG-BCWE	8 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4A8G165WG-BIWE	8 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	Sample

16 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
16Gb B-die(20 nm, DDP) 기반 제품군
K4AAG085WB-MCPB	16 Gb	8	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WB-MCRC	16 Gb	8	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG165WB-MCPB	16 Gb	16	2133 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WB-MCRC	16 Gb	16	2400 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WB-MCTD	16 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
16Gb A-die(1x nm) 기반 제품군
K4AAG085WA-BCTD	16 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WA-BITD	16 Gb	8	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WA-BCWE	16 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WA-BIWE	16 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	양산
K4AAG165WA-BCTD	16 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WA-BITD	16 Gb	16	2666 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WA-BCWE	16 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WA-BIWE	16 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	양산
16Gb B-die(?) 기반 제품군
K4AAG165WB-BCWE	16 Gb	4	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4AAG085WB-BCWE	16 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
16Gb C-die(1z nm) 기반 제품군
K4AAG085WC-BCWE	16 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	Sample
K4AAG085WC-BIWE	16 Gb	8	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	78 FBGA	Sample
K4AAG165WC-BCWE	16 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4AAG165WC-BIWE	16 Gb	16	3200 Mbps	-40 ~ 95 °C	96 FBGA	Sample

32 Gb 칩

부품 번호	용량	비트	속도	동작 온도	패키지	상태
32Gb A-die(1x nm, DDP) 기반 제품군
K4ABG085WA-MCTD	32 Gb	8	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4ABG085WA-MCWE	32 Gb	8	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	78 FBGA	양산
K4ABG165WA-MCTD	32 Gb	16	2666 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
K4ABG165WA-MCWE	32 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산
32Gb B-die(? nm, DDP) 기반 제품군
K4ABG165WB-MCWE	32 Gb	16	3200 Mbps	0 ~ 85 °C	96 FBGA	양산

2.2.3. DDR5 SDRAM

K 4 R X X X X X X X - X X X X

R : DDR5

스테핑	공정	용량
B-die	1y nm	16 Gb
P-die	1a nm	16 Gb

2.2.4. LPDDR4 SDRAM

2.2.5. LPDDR5 SDRAM

2.2.6. HBM

3. 플래시 메모리

3.1. 제조 공정

3.1.1. 평면 낸드

3.1.1.1. 19나노

3.1.1.2. 16나노

3.1.1.3. 14나노

평면 낸드의 마지막 세대이다. 이 이후로는 경제성, 안정성, 성능 등 여러 면에서 우수한 V낸드 도입에 따라 평면 낸드는 도태되었다.

3.1.2. V1(24단)

2013년에 양산을 시작했다. 세계 최초로 적층 기술이 도입되었다.

3.1.3. V2(32단)

2014년에 양산을 시작했다.

3.1.4. V3(48단)

2015년에 양산을 시작했다.

3.1.5. V4(64단)

2016년 말 양산을 시작했다. 9-Hole 구조를 도입하였고, CTF 박막의 특성을 개선하여 셀 크기를 줄이면서도 신뢰성을 끌어올렸다. 최초로 QLC가 도입되었다.

3.1.6. V5(92단)

2018년에 양산을 시작했다. 회로 설계를 개선하여 동작 속도를 높였고 ALD 텅스텐 공정을 도입하였다.

3.1.7. V6(128단)

2019년에 양산을 시작했다. 싱글 스택을 사용하는 마지막 공정이다.

3.1.7.1. V6 Prime(133단)

I/O 속도를 1.2Gbps → 1.6Gbps로 높인 것이 특징이다.

3.1.8. V7(176단)

2021년에 양산을 시작했다. 더블 스택이 도입된 최초의 공정이다. Cell-on-Peri 기술을 도입해 밀도를 크게 높인 것이 특징이다.

3.1.9. V8(236단)

2022년에 양산을 시작했다.

3.1.10. V9(286단)

2024년에 양산을 시작했다.
더블 스택을 사용하는 마지막 공정이다.

삼성전자/메모리

1. 개요

2. DRAM

2.1. 제조 공정

2.1.1. D2z (20나노)

2.1.2. D1x (18나노)

2.1.3. D1y (17나노)

2.1.4. D1z (15나노)

2.1.4.1. D1z (EUV)

2.1.5. D1a (14나노)

2.1.6. D1b (12나노)

2.2. 제품

2.2.1. DDR3 SDRAM

2.2.2. DDR4 SDRAM

2.2.3. DDR5 SDRAM

2.2.4. LPDDR4 SDRAM

2.2.5. LPDDR5 SDRAM

2.2.6. HBM

3. 플래시 메모리

3.1. 제조 공정

3.1.1. 평면 낸드

3.1.1.1. 19나노

3.1.1.2. 16나노

3.1.1.3. 14나노

3.1.2. V1(24단)

3.1.3. V2(32단)

3.1.4. V3(48단)

3.1.5. V4(64단)

3.1.6. V5(92단)

3.1.7. V6(128단)

3.1.7.1. V6 Prime(133단)

3.1.8. V7(176단)

3.1.9. V8(236단)

3.1.10. V9(286단)

3.1.11. V10

분류