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| <colbgcolor=#034ea2><colcolor=#ffffff> 삼성전자 DS부문장 · 부회장 전영현 | |
| 출생 | 1960년 12월 20일 ([age(1960-12-20)]세) |
| 국적 | [[대한민국|]][[틀:국기|]][[틀:국기|]] |
| 직업 | 기업인 |
| 현직 | 삼성전자 (DS부문장 / 2024년~ ) |
| 학력 | 한양대학교 공과대학 (전자공학 / 학사) 한국과학기술원 대학원 (전자공학 / 석사) 한국과학기술원 대학원 (전자공학 / 박사) |
| 수상 | IR52 장영실상 장관상(2008) 대한민국 기술대상 대통령상(2008) 과학기술훈장 웅비장(2011) KAIST 자랑스런 동문상(2018) 금탑산업훈장(2021) |
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1. 개요
대한민국의 기업인. 삼성전자 DS부문장 · 부회장2. 생애
한국과학기술원에서 전자공학 박사 과정을 마친 뒤 1991년부터 LG반도체 DRAM 개발팀에서 근무하던 중 1997년 외환위기로 인한 빅딜로 현대전자에 합병되자, 2000년 삼성전자로 자리를 옮겼다.이후 2006년 설계팀장, 2009년 DRAM 개발실장, 2014년 메모리사업부장까지 차례로 승진했다. 사업부장으로 근무하던 당시 삼성전자의 DRAM 분야 1위 자리를 굳히는 데 큰 공을 세웠다는 평가를 받는다.
2017년에는 그룹 내 타계열사인 삼성SDI의 대표이사로 이직했다. 첫 해부터 적자를 개선시켰으며, 중대형 배터리와 ESS 분야에 적극적인 투자를 이어가며 2020년부터 찾아온 전기자동차 시대에 주요 제조사로 거듭났다.
2021년에는 SDI 부회장 겸 의장으로 승진했다.
2023년 삼성전자 미래사업기획단장으로 임명되었다. 사실상 경영 1선에서 물러나는 절차를 거칠 것으로 해석되었다.
하지만 2024년 5월 21일 삼성전자 DS부문장으로 임명되었다. 타계열사 이동 후 삼성전자의 책임자로 다시 복귀하는 인사 조치는 매우 이례적이라는 평가를 받는다.[1][2] SK하이닉스에 주도권을 빼앗긴 HBM 분야 사업 개선과 파운드리 및 시스템LSI 사업 정상화라는 막중한 임무를 맡았다. 우선적으로 검증테스트 통과를 통해 NVIDIA의 HBM3E 공급사로 확정되는 것과 더불어 하이닉스와 역대 최저 수준의 점유율 차이를 보이고 있는 DRAM 분야 점유율 개선이 시급하다.
3. 경력
- LG반도체 입사 (1992)
- 삼성전자 입사 (2000)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부 · 상무 (2000)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 개발실장 · 전무 (2006)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 설계실장 · 전무 (2006)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부 D램 개발실장 · 부사장 (2009)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부 플래시개발실장 · 부사장 (2010)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전략마케팅팀장 · 부사장 (2012)
- 삼성전자 DS부문 메모리사업부장 · 사장 (2014)
- 삼성SDI 대표이사 · 사장 (2017)
- 삼성SDI 이사회 의장 · 부회장 (2021)
- 삼성전자 미래사업기획단장 · 부회장 (2023)
- 삼성전자 DS부문장 · 부회장 (2024)