삼성종합기술원


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삼성종합기술원 Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)

국가		[[대한민국\| 파일:대한민국 국기.svg 대한민국 ]][[틀:국기\| 파일: 특별행정구기.svg 행정구 ]][[틀:국기\| 파일: 기.svg 속령 ]]
설립일		1987년 10월 [1]
원장		경계현
주소		경기도 수원시 영통구 삼성로 130 미래기술캠퍼스
기업 철학		무한탐구 (Boundless search for breakthroughs)
링크

1. 개요2. 연구분야

2.1. AI&SW 연구분야2.2. Device&System 연구분야2.3. 재료 연구분야2.4. 환경 연구분야2.5. 생명 연구분야

3. 연구소 위치4. 삼성종합기술원 회장5. 삼성종합기술원 원장6. 삼성종합기술원 출신 인물

[clearfix]

1. 개요

삼성그룹이 1987년에 설립한 이공계 분야 연구소로, 영어 명칭은 Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)으로 미래 혁신 기술을 연구하는 삼성전자의 중앙연구소이다.

삼성그룹 산하 기업체들을 위해 에너지, 환경, 헬스, 나노기술 등 삼성의 신사업 분야와 융복합기술 및 기초기술 분야를 중점 연구하고 있다. 1991년 이후 표면탄성파소자, 적층세라믹 콘덴서, 적색 반도체 레이저, 64k바이트 F램, 광소자기술 LPD(Laser Projection Display) 치과용 레이저, 신개념 유기광기록방식, 플라스마 공정해석 소프트웨어, 제2세대 보청기 저전력회로, 광통신소자기술, 리튬폴리머 2차전지 등 다양한 기술을 개발했다. 1993년에는 D-VDR(그린레이저 사용) 시제품을 세계 최초로 개발했다. 물체 고유색 평가기술, 초고속 가입자선 전송기술, 휴머노이드 에이전트 기술, 인터넷 보안기술 등을 개발하였으며, 1999년에는 청자색 LD(Laser Diode) 상온 연속발진기술 개발에 성공했다. 최고 수준의 석학을 초빙해 공동 연구를 추진하는 '펠로우 초청제도' 등 개방형 연구문화를 통한 첨단기술 확보를 다음 세대 목표로 삼고 있다.

종합기술원은 삼성그룹 및 삼성전자의 R&D Hub 역할을 담당하는 이공계분야의 중앙연구소로 연구개발을 통하여 신사업 창출의 견인차 역할을 수행하고 있다.

2. 연구분야

2.1. AI&SW 연구분야

AI 알고리즘
차세대 컴퓨팅 플랫폼
정보보안
컴퓨터 비전

2.2. Device&System 연구분야

전장부품
헬스센서
Metaphotonics
Nano Electronics

2.3. 재료 연구분야

디스플레이 재료
반도체 재료
배터리 재료

2.4. 환경 연구분야

미세먼지 연구

2.5. 생명 연구분야

바이오 연구

3. 연구소 위치

대한민국

SAIT : 1987년 설립

수원 미래기술캠퍼스 (경기도 수원시 영통구 삼성로 130, 우편번호 : 16678)

북미

SAIT America : 2011년 설립

실리콘밸리 (665 Clyde Ave. Mountain View, CA 94043) : AI 및 neural network processors 관련 연구
보스턴 (3 Van De Graaff Dr. STE 4 Brurlington MA 01803) : 차세대 소자 관련 연구
파사데나 (2N Lake Ave, Ste 230, Pasadena, CA 91101) : 차세대 이미지 센서 관련 연구

SAIT AI Lab Montreal (6666 St Urbain St, Suite 200, Montreal, QC H2S 3H1) : AI 알고리즘 관련 연구

유럽

SAIT Europe : 2007년 설립

런던 (Communications House, South Street, Staines-upon- Thames, Surrey, TW18 4QE, UK., Staines-Upon-Thames, United Kingdom)
프랑크푸르트 (Am Kronberger Hang 6, 65824 Schwalbach am Taunus, Germany)

SAIT Russia : 1995년 설립

모스크바 (Office 1401, 12, Dvintsev Street, Building 1, Moscow, 127018, Russia) : 차세대 디스플레이 및 헬스케어 등 광학 관련 연구

SAIT Ukraine : 2009년 설립

키이우 (57 L'va Tolstogo Street, Kiev Ukraine 01032) : 정보 보안, 컴퓨터 비전, 지능형 서비스 관련 연구

아시아

SAIT India : 1996년 설립

방갈로 (Phoenix B'd, Bagmane Constellation business Park Bangalore Karnataka, India 06765) : IT 및 SW 관련 연구

SAIT China : 2008년 설립

베이징 (100028 (17F A-29), Sun Palace Building, No.12-A, Taiyanggong Mid Road, Chaoyang District, Beijing) : 컴퓨터 비전 및 인공지능 관련 연구
시안 (B-1 Building, Xian Software Town Phase 2, No. 156 Tiangu 8th Rd, Hi-tech Zone, XiAn, Shaanxi, China)

SRJ Japan (Samsung R&D Japan) : 1992년 설립

요코하마 (2-7 Sugasawa-cho, Tsurumu-ku, Yokohama, Japan) : 가전, 이미지 처리, 전자재료, 2차전지 관련 연구
오사카 (Minoh Semba Center Bldg., 2-1-11 Semba Nishi, Mino, Osaka, Japan) : 디스플레이 재료, 세라믹, 배터리 관련 연구

누리집 : https://www.sait.samsung.co.kr

4. 삼성종합기술원 회장

임관 : 1999~2008[2]
권오현 : 2017~2020
김기남 : 2022~2023

5. 삼성종합기술원 원장

정용문 : 1992~1993
하성환 : 1994~1995
임관 (6대) : 1995~1999
손욱 : 1999~2004
이윤우 : 2004~2005
임형규 : 2005~2008
황창규 : 2008~2009
이상완 : 2009~2010
김기남 : 2010~2012
권오현 : 2012~2015 (삼성전자대표이사 및 종합기술원장 겸임)
정칠희 : 2015~2017
김기남 : 2017~2020 (삼성전자대표이사 및 종합기술원장 겸임)
황성우 : 2020~2021
진교영 : 2021~2023
경계현 : 2024~

6. 삼성종합기술원 출신 인물

김종민(Jong Min Kim) : 영국 케임브리지 대학교 공학과 교수 (반도체 분야). 홍익대 전자공학과 졸업후 미국 뉴저지 주립 럿거스대학에서 전자공학 박사학위 취득.
고산(San Ko) : 대한민국 최초의 우주비행 참가자(SFP)로 선정.

[1] 삼성그룹 중앙 연구기관으로 설립[2] 서울공대 기계공학과재학중인 지난 53년 미국으로 건너가 노스웨스턴 대학교에서기계공학 박사학위를 받은 후 아이오와대 교수, 한국과학기술원(KAIST)원장, 아이오와대 의료공학연구소 소장 등을 역임했다.